Bài giảng Kỹ thuật điện tử - Chương 3: Transistor - Hoàng Văn Hiệp

 cực transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT
 Tùy theo các mắc mạch cụ thể mà các điện
áp và dòng điện có tên gọi cụ thể
 Ví dụ: trong cách mắc EC
 Đặc tuyến vào: IB = f(UBE) khi UCE = const
 Đặc tuyến phản hồi: UBE = f(UCE) khi IB = const
 Đặc tuyến truyền đạt: IC = f(IB) khi UCE = const
 Đặc tuyến ra: IC = f(UCE) khi IB = const 
23
3. Phần tử 4 cực transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT
 Ví dụ: trong cách mắc BC
 Đặc tuyến vào: IE = f(UEB) khi UCB = const
 Đặc tuyến phản hồi: UEB = f(UCB) khi IE = const
 Đặc tuyến truyền đạt: IC = f(IE) khi UCB = const
 Đặc tuyến ra: IC = f(UCB) khi IE = const 
24
3. Phần tử 4 cực transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT25
 Ví dụ: trong cách mắc CC
 Đặc tuyến vào: IB = f(UBC) khi UEC = const
 Đặc tuyến phản hồi: UBC = f(UEC) khi IB = const
 Đặc tuyến truyền đạt: IE = f(IB) khi UBC = const
 Đặc tuyến ra: IE = f(UEC) khi IB = const 
Nội dung chương 3
Electronic Technique – HiepHV KTMT
 1. Cấu tạo transitor
 2. Nguyên lý hoạt động
 3. Phần tử 4 cực transistor
 4. Các dạng mắc mạch cơ bản của transistor
 5. Phân cực cho transistor
 6. Sơ đồ tương đương transistor
26
4. Các dạng mắc mạch cơ bản
transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT27
 3 dạng mắc mạch cơ bản
 4.1. Mắc Emiter chung
 4.2. Mắc Base chung
 4.3. Mắc Collector chung
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT28
 Trong cách mắc EC: Emiter được dùng chung
làm đầu vào và đầu ra
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT29
 Dòng điện vào: IB
 Điện áp vào: UBE
 Dòng ra: IC
 Điện áp ra: UCE
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT30
 Đặc tuyến vào:
 Để xác định đặc tuyến vào giữ nguyên điện áp UCE , 
thay đổi điện áp UBE và ghi lại các giá trị dòng điện IB
tương ứng
constUIfU 2)( 11 constUBEB CEUfI )(
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT31
 Đặc tuyến vào của transistor mắc EC giống
như đặc tuyến của diode phân cực thuận : 
dòng IB trong trường hợp này chính là 1 phần
của dòng IE chảy qua chuyển tiếp JE phân cực
thuận.
 Với UBE=const, khi UCE càng lớn thì IB càng
nhỏ và ngược lại. 
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT32
 Đặc tuyến ra
 Để xác định đặc tuyến ra: Giữ cho dòng vào không đổi, thay đổi
giá trị UCE và ghi lại các giá trị IC tương ứng (vẽ đồ thị có đặc
tuyến ra)
constIUfI 1)( 22 constICEC B
UfI )(
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT33
 Đặc tuyến ra
 Nhận xét:
 Khi UCE nhỏ, độ dốc khá lớn quan hệ IC và UCE
gần như đường thẳng
 Khi UCE lớn (> 2V) IC gần như không phụ thuộc
vào UCE. Trong vùng này giá trị IC bằng khoảng
100 lần IB
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT34
 Đặc tuyến ra
 Vùng cắt:
 JE phân cực ngược: Từ đặc tuyến vào: UBE > 0 
thì IB > 0, suy ra với IB < 0 thì UBE < 0 (tiếp giáp pn
giữa BE phân cực ngược)
 JC phân cực ngược: VBC 0
 IC = 0 (không có dòng chảy qua) 
 Vùng cắt là vùng nằm dưới đường IB = 0
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT35
 Đặc tuyến ra
 Vùng bão hòa
 JE phân cực thuận: UBE > 0  IB > 0 (từ đặc
tuyến vào)
 JC phân cực thuận: UBC > 0  UCB < 0
 Vùng bão hòa nằm trên đường IB = 0 và nằm
bên trái đường VCB = 0
 Trong vùng bão hòa: IC nhận giá trị lớn nhất
không phụ thuộc vào IB và hệ số khuếch đại β
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT36
 Đặc tuyến ra
 Vùng tích cực
 JE phân cực thuận: UBE > 0  IB > 0 (từ đặc
tuyến vào)
 JC phân cực ngược: UBC 0
 Vùng bão hòa được giới hạn nằm trên đường
IB = 0 và nằm bên phải đường VCB = 0
 Trong vùng tích cực: IC = βIB
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT37
 Đặc tuyến ra
 Vùng đánh thủng:
 UCE = UCB + UBE
 Khi UCE tăng lên quá lớn, UCB tăng lên giống
với hiện tượng điện áp ngược trên diode của tiếp
giáp pn giữa base và collector ở transistor xảy ra
hiện tượng đánh thủng làm hỏng transistor
4.1. Mắc EC
Electronic Technique – HiepHV KTMT38
 Đặc tuyến ra
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT39
 Trong cách mắc B chung: cực B được lấy làm
cực chung cho đầu vào và đầu ra
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT40
 Dòng điện vào: IE
 Điện áp vào UEB
 Dòng điện ra: IC
 Điện áp ra: UCB
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT41
 Đặc tuyến vào:
 Để xác định đặc tuyến vào giữ nguyên điện
áp UCB , thay đổi điện áp UEB và ghi lại các giá
trị dòng điện IE tương ứng
constUEBE CB
UfI )(
constUIfU 2)( 11
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT42
 Đặc tuyến vào:
 Nhận xét: 
 Vì tiếp giáp JE luôn phân cực thuận nên đặc tuyến
vào của transistor mắc B chung cơ bản giống với
đặc tuyến của diode phân cực thuận. IE chính là
dòng điện qua diode, UEB chính là điện áp trên
diode.
 So với cách mắc EC, ta thấy dòng điện vào IE ở 
đây lớn hơn rất nhiều (đơn vị là mA).
 Khi UEB = const, IE càng lớn khi điện áp vào UCB
càng lớn và ngược lại
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT43
 Đặc tuyến ra
constIUfI 1)( 22 constICBC EUfI )(
4.2. Mắc BC
Electronic Technique – HiepHV KTMT44
 Đặc tuyến ra
 Nhận xét
 Từ đặc tuyến ra ta thấy, với IE cố định, IC gần
bằng IE và gần như không phụ thuộc vào điện áp
ra UCB. Điều này có thể dễ thấy từ công thức:
 Với
EC II .
1
4.3. Mắc CC
Electronic Technique – HiepHV KTMT45
 Trong cách mắc Collector chung cực C được
lấy làm đầu vào và đầu ra của mạch
4.3. Mắc CC
Electronic Technique – HiepHV KTMT46
 Dòng điện vào IB
 Điện áp vào: UBC
 Dòng điện ra: IE
 Điện áp ra: UEC
4.3. Mắc CC
Electronic Technique – HiepHV KTMT47
 Đặc tuyến vào:
constUBCB EC
UfI )(constUIfU 2)( 11
4.3. Mắc CC
Electronic Technique – HiepHV KTMT48
 Đặc tuyến vào:
 Với tiếp giáp JE phân cực thuận, UEB luôn giữ
cố định (UEB=-0.7V cho Silic, UEB=-0.3V cho
Gecmani). Vì vậy, UBC phụ thuộc hoàn toàn
vào UEC, các họ đặc tuyến có dạng đường
thẳng song song với trục tung.
BCEBEC UUU
4.3. Mắc CC
Electronic Technique – HiepHV KTMT49
 Đặc tuyến ra:
 Muốn xác định đặc tuyến ra: cố định dòng
điện vào IB thay đổi các giá trị UEC và ghi lại
các giá trị IE tương ứng
constIUfI 1)( 22 constIECE BUfI )(
Nội dung chương 3
Electronic Technique – HiepHV KTMT
 1. Cấu tạo transitor
 2. Nguyên lý hoạt động
 3. Phần tử 4 cực transistor
 4. Các dạng mắc mạch cơ bản của transistor
 5. Phân cực cho transistor
 6. Sơ đồ tương đương transistor
50
5. Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT51
 Phân cực cho transistor?
 Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
 Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
 Phân cực cho transistor bằng điện áp phản
hồi
 Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter 
(tự phân cực)
Phân cực cho transistor (biasing)
Electronic Technique – HiepHV KTMT52
 Chế độ làm việc của transistor:
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT53
 Nếu chỉ quan tâm đến miền tích cực của transistor:
 Tiếp giáp BE phân cực thuận: VBE = 0.7V, Ic = βIB
 Tiếp giáp BE phân cực ngược: Không có dòng điện
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT54
 Sử dụng transistor như một bộ khuếch đại với
hệ số khuếch đại A
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT55
 Đặc tuyến truyền đạt của transistor
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT56
 Vo = VCC – IC RC
 Khi V1 tăng, IB tăng IC tăng Vo giảm
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT57
 Xét tín hiệu vào V1 trong 2 trường hợp
 Trường hợp 1: Tín hiệu vào có phần nằm ngoài
vùng tích cực
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT58
 Tín hiệu V1 được di chuyển vào giữa vùng
tích cực
Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT59
 Việc di chuyển tín hiệu đầu vào sao cho
nó nằm trong vùng tích cực chính là việc
phân cực cho transistor
Phân cực cho transistor?
Electronic Technique – HiepHV KTMT60
 Phân cực cho transistor là cấp điện áp một
chiều để transistor làm việc ở chế độ mong
muốn
 Ví dụ: Muốn transistor làm việc ở chế độ
khuếch đại thì phải phân cực sao cho
 JE phân cực thuận
 JC phân cực ngược
Đường tải tĩnh & Điểm công tác tĩnh
Electronic Technique – HiepHV KTMT61
 Đường tải tĩnh (Load line): là đường thẳng
quan hệ giữa dòng điện ra và điện áp ra trong
mạch cụ thể (khi có tải). Đường tải tĩnh được
vẽ trên đồ thị cùng với đặc tuyến ra tĩnh của
transistor
 Điểm công tác tĩnh (Q point): là điểm giao
giữa đường tải tĩnh và đặc tuyến ra của
transistor. Điểm công tác tĩnh xác định dòng
điện và điện áp trên transistor khi không có tín
hiệu đặt vào, nghĩa là xác định điều kiện phân
cực tĩnh cho transistor.
Đường tải tĩnh & Điểm công tác tĩnh
Electronic Technique – HiepHV KTMT62
 Phương trình đường tải tĩnh khi mắc EC
 UCE = VCC – IC Rt
 Nếu điện áp phân cực làm transistor khóa tức
IC = 0  UCE = VCC
 Nếu UCE = 0  IC = VCC / Rt
 Nối 2 điểm trên vẽ được đường tải tĩnh của
mạch
 Thấy rằng đường tải tĩnh chính là đồ thị biến
thiên dòng IC theo điện áp UCE khi ứng với
nguồn VCC và điện trở Rt cụ thể
Đường tải tĩnh & Điểm công tác tĩnh
Electronic Technique – HiepHV KTMT63
Đường tải tĩnh & Điểm công tác tĩnh
Electronic Technique – HiepHV KTMT64
Đường tải tĩnh & Điểm công tác tĩnh
Electronic Technique – HiepHV KTMT65
 Chọn điểm công tác Q hợp lý (thường là ở 
giữa đường tải tĩnh)  Biên độ cực đại của
điện áp ra đảm bảo không méo tín hiệu là lớn
 Chọn điểm công tác tĩnh nằm trên đường tải
tĩnh, nếu yêu cầu điện áp ra không nghiêm
ngặt về độ méo có thể chọn điểm bất kỳ trên
đường tải tĩnh
Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay dổi
Electronic Technique – HiepHV KTMT66
 Transistor là linh kiện rất nhạy cảm với nhiệt
độ
 Trong datasheet của transistor thường ghi dải
nhiệt độ giới hạn, ngoài dải nhiệt độ này
transistor có thể bị hỏng
 Ngay cả trong dải giới hạn nhiệt độ bình
thường thì sự biến thiên của nhiệt độ cũng
ảnh hưởng lớn đến các tham số của
transistor
Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay dổi
Electronic Technique – HiepHV KTMT67
 Hai đại lượng nhạy cảm với nhiệt nhất là điện
áp emiter – base UBE và dòng ngược IcBo
 Hệ số nhiệt độ của UBE = -2.2 mV/
oC
 Hệ số nhiệt độ của IcBo : Dòng ngược tăng
gấp đôi khi nhiệt độ tăng 10oC
Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay dổi
Electronic Technique – HiepHV KTMT68
 Khi transistor làm việc có hệ thức
(2)
 Khi nhiệt độ tăng, dòng điện ngược ICBo tăng làm
cho IC tăng, IC tăng làm tăng sự va chạm giữa
các hạt và làm nhiệt độ tăng. Nhiệt độ tăng lại
làm cho IcBo tăng, quá trình cứ thế lặp lại làm hệ
rất mất ổn định, hiện tượng này gọi là hiệu ứng
quá nhiệt. Hiệu ứng quá nhiệt làm thay đổi điểm
công tác tĩnh và có thể làm hỏng transistor.
. (1 ).C B CBoI I I
Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay dổi
Electronic Technique – HiepHV KTMT69
 Nhiệt độ tăng làm UBE tăng, UBE tăng làm IC
tăng, tuy nhiên ảnh hưởng của UBE đến IC
không lớn như ICBo. 
  Khi nói ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm
công tác thường chỉ nói đến tác động của
ICBo.
Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay dổi
Electronic Technique – HiepHV KTMT70
 Hệ số ổn định nhiệt
 Hệ số ổn định nhiệt cho biết mức độ thay đổi
của IC khi ICBo thay đổi. Như vậy, hệ số ổn
định nhiệt S càng nhỏ thì tính ổn định nhiệt
càng cao.
CBo
C
I
I
S
Hệ số ổn định nhiệt
Electronic Technique – HiepHV KTMT71
1
1
1
1
1
C
CBo
C B cBo
C B
cBo
C C
C B BcBo
C
I
S
I
I I I
I I
I
I I
S
I I II
I
5. Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT72
 Phân cực cho transistor?
 Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
 Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
 Phân cực cho transistor bằng điện áp phản
hồi
 Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter 
(tự phân cực)
Phân cực cho transistor bằng dòng
cố định (phân cực bằng dòng base)
Electronic Technique – HiepHV KTMT73
 Cách mắc mạch
Phân cực cho transistor bằng dòng
cố định (phân cực bằng dòng base)
Electronic Technique – HiepHV KTMT74
 Áp dụng định luật Kirchhoff về vòng điện áp
cho vòng (E,R1,BE) ta có:
Dòng điện IB=const không phụ thuộc vào các
tham số của transistor nên mạch được gọi là
mạch phân cực bằng dòng (IB) cố định.
11
1
7.0
0
R
E
R
UE
I
URIE
BE
B
BEB
Phân cực cho transistor bằng dòng
cố định (phân cực bằng dòng base)
Electronic Technique – HiepHV KTMT75
 Vì transistor làm việc ở miền tích cực nên
 Áp dụng định luật Kirchhoff vòng Collector –
Emitter
 Phương trình (2) chính là phương trình
đường tải tĩnh của mạch
1
(1)BEC B
E U
I I
R
2
2
. 0
(2)
C CE
CE
C
E I R U
E U
I
R
Phân cực cho transistor bằng dòng
cố định (phân cực bằng dòng base)
Electronic Technique – HiepHV KTMT76
 Từ (1) và (2) xác định điểm làm việc tĩnh (Q 
point) của mạch
 Thấy rằng Q point trong mạch phân cực bằng
dòng base phụ thuộc vào hệ số khuếch đại β
Mà β là đại lượng không ổn định, nó thay đổi
theo nhiệt độ
 Việc phân cực mà Q point thay đổi theo β là
không tốt
Phân cực cho transistor bằng dòng
cố định (phân cực bằng dòng base)
Electronic Technique – HiepHV KTMT77
 Tính hệ số ổn định nhiệt
 Hệ số ổn định nhiệt khá lớn, cách phân cực này chỉ áp dụng cho
các mạch có yêu cầu về ổn định nhiệt không cao
1
1
1
1
1
0 1
C
CBo
C B cBo
C B
cBo
C C
C B BcBo
C
B
I
S
I
I I I
I I
I
I I
S
I I II
I
I S
5. Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT78
 Phân cực cho transistor?
 Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
 Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
 Phân cực cho transistor bằng điện áp phản
hồi
 Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter 
(tự phân cực)
Phân cực cho transistor bằng điện
áp phản hồi
Electronic Technique – HiepHV KTMT79
 Cho E,R1,R2, beta. Giả
sử transistor hoạt động
ở chế độ khuếch đại.
 a. Tính IB,IC,IE, UCE
 b. Viết phương trình
đường tải tĩnh, Q point
 c. Xét điều kiện của R1, 
R2 để transistor hoạt
động ở chế độ khuếch
đại.
Phân cực cho transistor bằng điện
áp phản hồi
Electronic Technique – HiepHV KTMT80
 Xét mạch vào:
2 2 1
2 1
2 1
1 2
1 2
. . 0
( ) 0
( 1) 0
( 1)
(1)
( 1)
B BE
C B B BE
C B
B B BE
BE
B
BE
C
E I R I R U
E I I R I R U
I I
E I R I R U
E U
I
R R
E U
I
R R
Phân cực cho transistor bằng điện
áp phản hồi
Electronic Technique – HiepHV KTMT81
 Xét mạch ra:
 Từ (1) và (2) Xác định điểm làm việc tĩnh Q 
point (UCE, IC)
2
2
2
( ) 0
1
(1 ) 0
1
(1 ) (2)
C B CE
C CE
CE C
E I I R U
E I R U
U E I R
Phân cực cho transistor bằng điện
áp phản hồi
Electronic Technique – HiepHV KTMT82
 Xác định hệ số ổn định nhiệt
 Xét mạch vào
 Từ đó thấy được để mạch làm việc ở chế độ
khuếch đại ổn định: R2 >> R1
2 1
2
1 2 1 2
2
1 2
2
1 2
( ) 0
.
1 1
1 . 1 .
C B B BE
BE
B C
B
C
C
BCBo
C
E I I R I R U
E U R
I I
R R R R
I R
I R R
I
S
I RI
I R R
5. Phân cực cho transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT83
 Phân cực cho transistor?
 Ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi
 Phân cực cho transistor bằng dòng cố định
 Phân cực cho transistor bằng điện áp phản
hồi
 Phân cực cho transistor bằng dòng Emitter 
(tự phân cực)
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT84
 Định lý Thevenin-Norton
 (a). Phần mạch ban đầu
 (b). Phần mạch tương đương nguồn áp (ĐL 
Thevenin)
 (c). Phần mạch tương đương nguồn dòng (ĐL 
Norton)
M A
B
A
B
A
B
Y
e
AB
i
AB
(a) (b) (c)
Z
Định lý thevenin – Norton
Electronic Technique – HiepHV KTMT85
 Định lý thevenin (chuyển nguồn áp tương
đương)
 U’AB = UAB khi hở mạch AB
 Z’AB = ZAB khi tắt tất cả các nguồn trong mạch
ban đầu
 Ngắn mạch các nguồn áp
 Hở mạch các nguồn dòng
Định lý thevenin – Norton
Electronic Technique – HiepHV KTMT86
 Định lý Norton (chuyển nguồn dòng tương
đương)
 I’AB = IAB khi ngắn mạch AV
 Z’AB = ZAB khi tắt tất cả các nguồn trong mạch
ban đầu
 Hở mạch các nguồn áp
 Ngắn mạch các nguồn dòng
Nguyên lý xếp chồng
Electronic Technique – HiepHV KTMT87
 Trong một mạch có nhiều nguồn tác động thì
dòng điện trong một nhánh bằng tổng đại số
các dòng điện do từng nguồn độc lập gây ra
trong nhánh đó.
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT88
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT89
 Áp dụng thevenin: 
21
2
21
21
.
RR
RE
U
RR
RR
R
B
B
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT90
ECBoBEEBBB
EBCBoBBEBBB
BCBoBBCE
EEBEBBB
RIURRIU
RIIIURIU
IIIIIIMà
RIURIU
)1()1(
0)1(
)1( 
0
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT91
 Vì giá trị của IcBo rất nhỏ có thể bỏ qua
 Do đó:
(*)
(1)
EB
BEB
B
RR
UU
I
)1(
(1 )
(1 )
( )
(1 )
B BE
C
B E
B E
B BE B BE
C
E E
U U
I
R R
R R
U U U U
I
R R
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT92
 Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng đầu ra:
 (2)
0
1
0
1
0
1
1
C C CE E E
C C CE C E
C C CE C E
CE
C
C E
CE
C
C E
E I R U I R
E I R U I R
E I R U I R
E U
I
R R
E U
I
R R
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT93
 Từ (1) và (2) xác định điểm làm việc tĩnh của
mạch phân cực bằng chia áp
 Nhận xét: Điểm làm việc tĩnh của mạch phân
cực bằng chia áp không phụ thuộc vào hệ số
β tức là ổn định hơn
 Công thức thiết kế của (*): 1 (1 )
10
B ER R
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT94
 Hệ số ổn định nhiệt
 Xét mạch vào:
 Mà hệ số ổn định nhiệt:
BE
E
C
B
EB
E
C
EB
BEB
B
EBCBEBBB
EEBEBBB
RR
R
I
I
RR
R
I
RR
UU
I
RIIURIU
RIURIU
.
0)(
0
1
1
1
1
1 .
C C
C B BcBo
C
E
E B
I I
S
I I II
I
S
R
R R
Phân cực cho transistor bằng dòng Emiter tự
phân cực – phân cực bằng chia áp
Electronic Technique – HiepHV KTMT95
 Khi RB << RE S ≈ 1 hệ tương đối ổn định
khi nhiệt độ thay đổi
1
1 . E
E B
S
R
R R
Nội dung chương 3
Electronic Technique – HiepHV KTMT
 1. Cấu tạo transitor
 2. Nguyên lý hoạt động
 3. Phần tử 4 cực transistor
 4. Các dạng mắc mạch cơ bản của transistor
 5. Phân cực cho transistor
 6. Sơ đồ tương đương transistor
96
6. Sơ đồ tương đương transistor
Electronic Technique – HiepHV KTMT97
 6.1. Sơ đồ tương đương chế độ 1 chiều
 6.2. Sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều
6.1. Sơ đồ tương đương chế độ 1 
chiều
Electronic Technique – HiepHV KTMT98
 Sơ đồ tương đương miền tích cực
 Linh kiện:
 Điện trở RBB
 Nguồn 1 chiều V0
 Nguồn dòng phụ thuộc
βIB
 Nguồn dòng độc lập
ICE0
6.1. Sơ đồ tương đương chế độ 1 
chiều
Electronic Technique – HiepHV KTMT99
 Sơ đồ tương đương miền bão hòa
 Linh kiện:
 Điện trở RBB
 Nguồn 1 chiều V0
6.1. Sơ đồ tương đương chế độ 1 
chiều
Electronic Technique – HiepHV KTMT100
 Sơ đồ tương đương miền cắt
 Linh kiện:
 Nguồn dòng độc lập
ICE0
6.2. Sơ đồ tương đương chế độ xoay
chiều
Electronic Technique – HiepHV KTMT101
 Tín hiệu nhỏ tần số thấp
 Linh kiện:
 rb: điện trở liên kết Ohmic
giữa điện cực B và miền
Base trung hòa
 re: điện trở vi phân của tiếp
giáp Emitter
Bài tập
Electronic Technique – HiepHV KTMT102
Bài 1.
 Biết: E=+12V, R1=20KΩ, 
R2=4KΩ, R3=4KΩ, R4=1KΩ, .
a) Xác định dòng điện và điện áp
trên các cực của transistor ở 
chế độ một chiều DC.
b) Vẽ đường tải tĩnh và điểm làm
việc tĩnh Q.
c) Xác định hệ số ổn định nhiệt
Bài tập
Electronic Technique – HiepHV KTMT103
Bài 2.
 E=10V, R3=1.8KΩ, 
 IC=2mA,UCE=5V.
 Tính giá trị của các
điện trở còn lại
trong sơ đồ
R1/R2,R4?