Giáo trình Vô tuyến điện tử - Phan Thanh Vân (Phần 1)

ếch đại tải cảm kháng, tầng khuếch đại ghép trực tiếp ... 
trong đĩ tầng khuếch đại ghép RC phổ biến nhất. 
1. Tầng khuếch đại điện áp âm tần đơn. 
Tầng khuếch đại điện áp âm tần đơn dùng một transistor thường mắc theo kiểu E chung 
hoặc B chung vì các kiểu này mới được hệ số khuếch đại điện áp lớn. 
Sơ đồ dưới đây là một mạch khuếch đại gồm 2 tầng, ta chỉ xét một tầng trong vùng khoanh 
bằng các đường đứt nét. 
Mạch điện gồm: 
Tầng khuếch đại ghép RC 
• Transistor PNP. 
• R1và R2: phân cực cho T. 
• RE bổ chính nhiệt cho T. 
• CE nâng hệ số khuếch đại. 
• C2: tụ điện liên lạc . 
• RC: điện trở tải. 
Cần chú ý rằng, đối với thành phần tín hiệu, tải ở cực C của transistor T gồm điện trở RC 
mắc song song với trở kháng vào (ZC) của tầng sau. Để cho tín hiệu ít bị tiêu hao trên RC, 
người ta chọn RC lớn hơn ZC nhiều. 
a- Tính trị số các linh kiện: 
Cho VCC =12V, tính R1, R2, RC, RE, CE để mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ,khuếch đại hạng 
A (trung thực) tiếp xúc BE phải được phân cực thuận: 
 VB > VE và VB – VE = 0,6V (transistor Si) 
 và tiếp xúc BC phân cực nghịch VB < VC. 
* Khuếch đại tín hiệu nhỏ, chọn dịng IC nhỏ để ít tạp âm : chọn IC từ 1 ( 2mA. 
* Chọn VCĠĠ 
* Chọn VB = 2V < VC Ġ VE = VB – 0,6V = 1,4VĠ Ġ 
* Tính R1, R2: 
1
2
1
CC
B
VV R
R
=
+
 ⇒ 1
2
121 1 5
2
CC
B
VR
R V
= − = − = 
Nếu chọn R1 = 5ŋ thì R2 = 1ŋ. Trong thực tế, ta chọn: RC = 5,6 ŋ; R1 = 5,1 ŋ; R2 = 1KΩ ; 
RE = 1,5 KΩ . 
b- Mạch điện tương đương: 
Chú ý: 
* Đối với tín hiệu xoay chiều: tụ điện C và nguồn một chiều coi như bị nối tắt. 
* Đối với nguồn một chiều: tụ điện C được xem hở mạch. 
Mạch điện tương đương của một transistor: 
 + 12V
 R1 RC 
 T1 
 C1 C2 
 Uvào 
 R2 RE CE 
 - 
 iC 
 iB 
 B C 
 iB iC 
 rbe β ib 
 E
≈
26( )
( )be E
mVr
I mA
β≅ 
Từ mạch điện tương đương của một transistor trên, ta vẽ lại mạch điện tương đương của 
mạch khuếch đại điện áp dùng một transistor: 
Ta chọn R1 > R2 >> rbe và RC > RL. 
Trong thực tế, rbeĠ 1,5ŋ, RC khoảng vài chục ŋ. 
Suy ra : R1 // R2 // Rbe Ġ rbe và RC // R L ĠRL. : 
Uvào = ib.rbe 
Ura = iCRL 
Suy ra hệ số khuếch đại điện áp : 
Kết luận: Muốn hệ số khuếch đại điện áp lớn, ta chọn transistor cĩĠ lớn và điện trở 
tải của mạch phía sau phải lớn. 
. ( )
26 26( )
L L E
E
R R I mAK
mA
I
β
β
= = 
2. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép rc: 
Như phần trên đã trình bày, mạch khuếch đại gồm 2 tầng ghép với nhau bằng R và C, được 
vẽ lại bằng sơ đồ như sau: 
 VCC = + 12V
 R1 RC 
 T1 
 C1 C2 
 Uvào RL 
 R2 RE CE 
 - 
 ib ic 
 R2 R1 rbe RC RL 
 β ib 
Uvào 
~ 
 ib ic 
 rbe RL 
 β ib 
 Uvào 
~
L
be
RK
r
β= 
Sơ đồ mạch khuếch đại 
Mạch điện tương đương 
Nếu chọn RB >> rbe2 và RC2 >> RL, ta cĩ mạch điện tương đương sau: 
Gọi K1 là hệ số khuếch đại của T1 và K2 là hệ số khuếch đại của T2: 
1 2 2
1 1
1 1 1
.
.
C be be
b be be
i r rK
i r r
β= = 
2
2 2
2 2 2
.
.
C L L
b be be
i R RK
i r r
β= = 
vậy: Ġ 
Với : Ġ ta cĩ: Ġ 
* ĐẶC TUYẾN TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI : 
Hình vẽ dưới đây là đặc tuyến tần số của một mạch khuếch đại âm tần ghép RC. Chúng ta 
thấy, đối với miền tần số trung bình đặc tuyến nằm ngang, nghĩa là hệ số khuếch đại khơng 
phụ thuộc vào tần số. Cịn đối với các miền tần số thấp và cao, ta thấy hệ số khuếch đại giảm 
rõ rệt, điều này do ảnh hưởng của dung kháng của các tụ điện liên lạc, chúng phụ thuộc vào 
tần số 1CZ Cω= . 
Định nghĩa giải thơng : 
Giải thơng của mạch khuếch đại : Là giải tần số mạch khuếch đại được [f1, f2], xác định bởi 
các tần số f1, f2 cĩ hệ số khuếch đại bằngĠ. 
 ib1 ic1 ib2 ic2 
 rbe1 RB rbe2 RC2 RL 
 1β ib1 2β ib2 
 Uvào 
~
 ib1 ic1 ic2 
 rbe1 rbe2 RL 
 1β ib1 2β ib2 
 Uvào 
~
1 2
1
. L
be
RK
r
β β= 
 + 12V
 R1 RC1 RB RC2 
 T1 
 C1 C2 
 Uvào RL 
 R2 RE CE 
 - 
Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại K = g(f) hay K = g(logf). 
3. Mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 tầng ghép trực tiếp. 
Ta cĩ thể ghép trực tiếp các tầng khuếch đại với nhau mà khơng dùng các tụ điện liên lạc. 
Mạch điện như vậy, đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại rất bằng phẳng về phía tần số thấp 
vì khơng cĩ tụ điện liên lạc, đơn giản ít tốn kém. Tuy nhiên khi thiết kế, phải chú ý điện áp ra 
của tầng trước là điện áp vào tầng sau để thoả mãn các điện áp tiếp tế, phân cực... cho các 
transistor nên cân chỉnh khá phức tạp. 
Sau đây là một mạch khuếch đại gồm 2 transistor ghép trực tiếp, cho giải thơng rộng, 
thường dùng để khuyếch đại các tín hiệu nhỏ: 
Mạch khuếch đại liên lạc trực tiếp. 
Trong sơ đồ trên, RC1 là tải, RE1 là điện trở bổ chính nhiệt cho transistor T1; RC2 là tải, 
RE2 là điện trở bổ chính nhiệt cho transistor T2. Các tụ điện liên lạc C1, C2 và các tụ điện phân 
dịng CE1, CE2. tải của mạch khuếch đại là RL. R là điện trở hồi tiếp âm, dùng để phân cực 
cho transistor 1. 
Các điện trở phân cực trong mạch phải tạo ra các điện áp như sau: 
VB1 > VE1 ; VC1 > VB1 ; VC1 = VB2 ; VB2 > VE2 ; VC2 > VB2. 
a- Tính trị số các linh kiện: 
Chọn VCC = 9V. 
1 5 8
CC
C
VV = = khoảng 2V 
VB1 khoảng 0,9V. 
Dịng qua transistor T1 : IC1 = 0,5mA (chọn dịng nhỏ để ít tạp âm). 
Dịng qua transistor T2 : IC2 = 1mA (tín hiệu qua transistor T2 lớn hơn T1). 
1
1
1
9 2 7 14
0,5 0,5
CC C
C
C
V VR K
I
− −= = = = Ω 
VE1 = VB1 – 0,6 = 0,9 – 0,6 = 0,3V. 
1 1
1
1 1
0,3 600
0,5
E E
E
E C
V VR
I I
= = = = Ω 
 +VCC
 RC1 RC2 
 C2 
 C1 
 R 
 RL 
 Uvào RE2 
 RE1 CE1 CE2 
 - 
K 
KM 
2
MK 
 f1 f2 f 
 2
2
2
9 4,5 4,5
1
CC C
C
C
V VR K
I
− −= = = Ω 
VE2 = VB2 – 0,6 = VC1 – 0,6 = 2 - 0,6 = 1,4V 
2 2
2
2 2
1,4 1,4
1
E E
E
E C
V VR K
I I
= = = = Ω 
Cịn điện trở R được tìm từ thực nghiệm : lấy một biến trở khoảng 100ŋ mắc vào vị trí của 
R, điều chỉnh biến trở để cĩ được các điện áp như thiết kế. Lấy biến trở R ra ngồi, đo bằng 
Ohm-kế sau đĩ thay bằng một điện trở cĩ trị số tương tự. 
b- Tính hệ số khuếch đại: 
Đối với tín hiệu, các tụ điện C1, C2, CE1 và CE2 coi như bị nối tắt (doĠ nhỏ). 
Ta cĩ mạch điện tương đương như sau : 
Chọn R >> rbe1 nên R // rbe1 gần bằng rbe1. 
RC1 >> rbe2 nên R // rbe2 gần bằng rbe2. 
RC2 > RL nên RC2 // RL gần bằng RL. 
Ta cĩ hệ số khuếch đại K = K1.K2 
1 2 2
1 1
1 1 1
.
.
C be be
b be be
i r rK
i r r
β= = 
2
2 2
2 2 2
.
.
C L L
b be be
i R RK
i r r
β= = 
vậy: Ġ 
4. Tầng khuếch đại cảm kháng. 
Tầng khuếch đại điện áp âm tần ghép RC cĩ ưu điểm gọn, nhẹ, đặc tuyến tần số tốt. Nhược 
điểm của loại mạch này là khĩ phối hợp trở kháng và hiệu suất thấp vì luơn luơn cĩ độ sụt áp 
một chiều qua tải. Để tăng hiệu suất cho tầng khuếch đại ta cĩ thể dùng mạch khuếch đaị với 
taỉ cảm kháng. 
Cuộn cảm cĩ điện trở thuần nhỏ nên sụt áp một chiều qua nĩ nhỏ, nhưng đối với dịng 
biến thiên cảm kháng cuả nĩ khá lớn nên ta thu một điện áp đủ lớn bảo đảm cho tầng khuếch 
đại cĩ hệ số khuếch đại cao. Tuy nhiên cảm kháng của cuộn dây phụ thuộc vào tần số, nên hệ 
số khuếch đại cuả mạch cũng phụ thuộc vào tần số (tăng theo tần số). 
Ngồi ra trong cuộn cảm cịn cĩ điện dung ký sinh, LC trở thành khung dao động đưa đến 
hiện tượng cộng hưởng làm cho sự khuếch đại cĩ tính lọc lựa. Vì vập tầng khuếch đại cảm 
kháng ít được dùng trong thực tế. 
 ib1 ic1 ib2 ic2 
 R rbe1 RC1 rbe2 RC2 RL 
 1β ib1 2β ib2 
 Uvào 
~
 +VCC
 RB1 LC RB2 
 C1 
 CB 
 Uvào 
 - 
1 2
1
. L
be
RK
r
β β= 
 5. Tầng khuếch đại ghép biến áp. 
Hệ số k cuả biến áp được chọn để làm phù hợp trở kháng gữa tầng khuếch đại và mạch ra 
phía sau nĩ. 
Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại ghép biến áp được vẽ từ thực nghiệm cĩ dạng như 
hình vẽ dưới đây. Vùng tần số thấp hệ số khuếch đại bị giảm và vùng tần số cao hệ số khuếch 
đại được nâng cao do đặc tính cuả cảm ứng điện từ trong biến áp. Nên tầng khuếch đại này 
cịn được dùng trong mạch khuếch đại cao tần. 
Mạch khuếch đại ghép biến áp cĩ những ưu điểm sau: 
* Dễ dàng thực hiện việc phối hợp trở kháng giữa tầng khuếch đại trước và sau. 
* Dễ dàng thực hiện mạch ra đối xứng (như tầng đảo pha trong mạch khuếch đại cơng suất 
Push-pull). 
* Sụt áp một chiều trên cuộn sơ cấp cuả máy biến áp nhỏ, nên hiệu suất cuả mạch khuếch 
đại tăng (nhất là khi khuếch đại với biên độ tín hiệu lớn). 
Tuy nhiên mạch khuếch đại ghép biến áp này cĩ những nhược điểm: 
- Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại xấu hơn so với tầng ghép RC. 
- Kích thước, trọng lượng lớn, kết cấu phức tạp và giá thành cao. 
Mạch khuếch đại ghép biến áp 
III- KHUẾCH ĐẠI CAO TẦN. 
Nếu như trong các tầng khuếch đại âm tần ta cần những mạch khuếch đại cĩ hệ số khuếch 
đại đều đặn trong một giải tần rộng, thì trong tầng khuếch đại cao tần ta lại yêu cầu cĩ hệ số 
khuếch đại lớn trong một gải tần tương đối hẹp. Vì thế ta goị tầng khuếch đại này là tầng 
khuếch đại giải hẹp, nĩ cĩ tính chọn lọc. 
Tầng khuếch đại cao tần thường sử dụng rộng rãi trong các máy thu, máy phát vơ tuyến 
điện... dùng để khuếch đại những dao động điện cĩ tần số của đài muốn thu hoặc muốn phát 
và triệt đi những dao động điện cĩ tần số khác. 
Tầng khuếch đại này thường là khuếch đại cộng hưởng cuả khung dao động, tải cuả tầng 
khuếch đại là một khung dao động. Nếu chỉ cĩ một khung dao động, ta cĩ mạch khuếch đại 
cộng hưởng đơn hoặc cĩ khung dao động kép, ta cĩ mạch khuếch đại cộng hưởng kép. 
1. Tầng khuếch đại cộng hưởng. 
Dưới đây là một tầng khuếch đại cộng hưởng dùng transistor mắc theo kiểu phát chung 
(cĩ thể mắc theo kiểu gốc chung). 
 +VCC
 RB1 L C 
 C1 C2 
 Uvào 
 RE CE 
 - 
 N1 
 N NC 
 N2 
 +VCC
 RB1 T 
 C2 
 C1 
 C 
 RL 
 Uvào 
 RE CE 
Ta chú ý đến việc giữa ghép tầng giữa 2 tầng khuếch đại: transistor mắc theo kiểu Phát chung nên tổng 
trở ra khơng lớn (cỡ vài chục ŋ), tổng trở vào tầng sau lại nhỏ (cỡ 1ŋ) cho nên để đỡ làm nhụt 
mạch cộng hưởng và cũng để phối hợp trở kháng ta khơng thể nối thẳng đầu mạch dao động 
vào cực Gĩp của transistor, cũng như khơng thể nối tầng (qua tụ điện C2) từ đầu mạch dao 
động đến cực Gốc tầng sau, đầu ra (cực Gĩp) chỉ đấu vào một phần số vịng của cuộn dây 
trong mạch cộng hưởng. 
Tỉ số Ġ chỉ cỡ từ 0,2 ( 0,8 tùy loại transistor. 
Do tổng trở vào của tầng sau nhỏ, nên tỉ số ghép Ġ chỉ 
vào khoảng 0,05 ( 0,1. 
Nếu lấy p và n lớn hơn thì giải thơng của đặc tuyến tần số 
sẽ rộng ra, đồng thời hệ số khuếch đại giảm (vì đường 
cong cộng hưởng bè ra). 
Ngồi ra để tăng hệ số khuếch đại của tầng và giữ giải 
thơng cần thiết, ta dùng các transistor cố hệ số khuếch đại 
lớn, mạch cộng hưởng cĩ hệ số phẩm chất cao (dùng cuộn 
cảm cĩ lỏi ferit, lỏi ferit làm tăng hệ số phẩm chất của 
mạch dao động). 
2. Tầng khuếch đại giải tần: 
Tầng khuếch đại cao tần chỉ khuếch đại một giải tần hẹp, hệ số khuếch đại lớn nhất ứng 
với tần số cộng hưởng của khung dao động, nghĩa là hệ số khuếch đại khơng đồng đều trong 
giải tần mà nĩ khuếch đại. Tầng khuếch đại giải tần cho phép ta khuếch đại tương đối đồng 
đều cả giải tần số hẹp. Tầng khuếch đại trung tần trong các máy thu thường dùng mạch 
khuếch đại kiểu này. 
Mạch khuếch đại giải tần dùng transistor mắc theo cực phát chung cũng phải lưu ý đến chổ 
ghép tầng, phải phối hợp trở kháng giữa tầng trước và tầng sau. Để phối hợp trở kháng, khỏi 
làm nhụt hệ số khuếch đại, đầu ra (cực Gĩp) của transistor T1 chỉ đấu vào một phần số vịng 
của cuộn dây trong khung dao động sơ cấp (theo tỉ số p) và chỉ lấy một số vịng của cuộn dây 
trong khung dao động thứ cấp (theo tỉ số n) đưa vào cực Gốc của transistor T2. 
Mạch khuếch đại giải tần Đặc tuyến tần số 
IV- KHUẾCH ĐẠI CƠNG SUẤT. 
Tầng khuếch đại cơng suất là tầng cuối cùng của một mạch khuếch đại, nĩ cung cấp cho tải 
một cơng suất lớn nhất. Khác với tầng khuếch đại điện áp, ở tầng khuếch đại điện áp tín hiệu 
cần khuếch đại cịn nhỏ, nhưng ở tầng khuếch đại cơng suất tín hiệu đã lớn nĩ trãi dài trên 
đường thẳng tải (trong đặc tuyến của transistor) để khai thác hết cơng suất ra nhưng đồng thời 
phải giảm thiểu méo do tầng khuếch đại gây ra (khơng vượt quá các giới hạn về điện áp, dịng 
điện, cơng suất của transistor). 
1. Tầng khuếch đại cơng suất đơn. 
Trong tầng khuếch đại này, mạch khuếch đại ở chế độ A. Mạch khuếch đại dùng transistor 
phải dùng kiểu Phát chung, vì kiểu này cho ta hệ số cơng suất ra lớn nhất. Vì mạch khuếch đại 
K 
KM 
 f0 f 
 K 
KM 
 f0 f 
R1 
Tr2 
Tr1 
R2 
Uvào 
+Vcc
- 
 ở chế độ A nên khi chưa cĩ tín hiệu đến đã cĩ dịng một chiều IC làm nĩng transistor nên hiệu 
suất kém. 
Trường hợp tải của mạch khuếch đại gần bằng tổng trở ra của transistor, ta cĩ thể mắc trực 
tiếp tải vào mạch ra của transistor (ví dụ loa kim hay ống nghe điện thoại cĩ thể mắc trực tiếp 
vào mạch ra của tầng khuếch đại cơng suất âm tần). 
Thơng thường, trở kháng của tải khác xa tổng trở ra của transistor. Ví dụ tải là loa điện 
động cĩ trở kháng nhỏ mà mạch ra của transistor cĩ trở kháng lớn nên phải dùng một biến áp 
giảm áp (hệ số biến áp k > 1) để phối hợp trở kháng. Nếu trở kháng loa là Zt thì trở kháng của 
sơ cấp là: 
' 2
t tZ k Z= 
Vì k > 1 nênĠ và điều kiện phối hợp trở kháng thực hiện được bằng cách chọn hệ số biến 
áp thích hợp: 
'
t
t
Zk
Z
= 
Mạch khuếch đại cơng suất đơn 
Khuếch đại hạng A 
2. Tầng khuếch đại cơng suất đẩy kéo (push-pull). 
Trong tần khuếch đại cơng suất đẩy kéo, người ta dùng 2 transistor giống nhau hồn tồn, 
cĩ thể hoạt động ở chế độ A, B hay AB. 
Ta thường gặp mạch khuếch đại cơng suất đẩy kéo hoạt động ở chế độ B dùng 2 
transistor giống nhau, mỗi transistor hoạt động trong một nửa chu kỳ, muốn vậy phải cĩ thêm 
 +VCC 
 R1 
 C1 
 Uvào 
 R2 RE1 CE1 
 - 
IC(m
ICmax 
ICbh 
UCEbh 0 
IB=0
UCE ECC UCE(V)
 một mạch đảo pha phía trước làm nhiệm vụ tạo ra 2 tín hiệu cĩ biên độ bằng nhau nhưng 
ngược pha để cung cấp cho 2 transistor cơng suất. 
Mạch khuếch đại theo chế độ B nên khi chưa cĩ tín hiệu tới, 2 transistor cơng suất hồn 
tồn khơng hoạt động, chúng chỉ dẫn điện trong thời gian cĩ tín hiệu tới. Vì vậy 2 transistor 
cơng suất ít nĩng, hiệu suất của mạch cao. 
Cĩ nhiều loại mạch đảo pha, cĩ thể dùng thêm một transistor mắc theo phát chung, trong 
đĩ 2 tín hiệu lấy ra tại C và E ngược pha nhau. 
Nhưng thường thấy nhất là dùng một biến thế đảo pha, sơ cấp cĩ một cuơn dây và thứ cấp 
gồm 2 cuộn dây cĩ số vịng như nhau, chiều quấn dây thích hợp ta cĩ 2 tín hiệu ra ngược pha 
nhau để cấp cho 2 chân B của 2 transistor cơng suất. 
R1 và R2 làm nhiệm vụ phân cực cho 2 transistor Tr1 và Tr2, RE là điện trở bổ chính nhiệt. 
Hai transistor khuếch đại cơng suất lớn nên rất nĩng, để ổn định cơng suất cho 2 transistor này, 
người ta cịn mắc song song với R2 một điện trở nhiệt Th (thermistor), điện trở của nĩ nghịch 
biến với nhiệt độ. Th này được đặt gần 2 transistor để lấy nhiệt của nĩ. Khi nhiệt độ các 
transistor tăng, Th nĩng và điện trở giảm nên điện áp phân cực cho transistor giảm, transistor 
bớt nĩng... 
Tầng khuếch đại cơng suất Push-pull 
T1 là biến thế đảo pha, từ một nguồn tín hiệu vào nĩ tạo ra 2 nguồn tín hiệu ngược pha 
nhau để cấp vào chân B của 2 transistor cơng suất. 
 IC(mA) 
 IC max 
 IC bh 
 IB = 0 
 0 UCE bh 
UCEO ECC UCE (V)
 R1 +VCC 
 T1 T2 
 R2 RE 
Khuếch đại hạng B
 T2 là biến thế xuất âm, sơ cấp gồm 2 cuộn dây cĩ số vịng bằng nhau, thứ cấp ít vịng để 
phối hợp trở kháng với loa. 
Giả sử nửa chu kỳ đầu, transistor trên nhận tín hiệu dương, dẫn điện thì transistor phía 
dưới nhận tín hiệu âm, ngưng dẫn. Dịng điện từ nguồn VCC qua nửa trên của biến thế xuất 
âm, CE của transistor trên và qua RE để về nguồn âm. Dịng điện qua biến thế xuất âm thay 
đổi theo qui luật của tín hiệu vào nên cảm ứng qua cuộn thứ cấp để ra loa. 
Nửa chu kỳ sau, transistor trên nhận tín hiệu âm, ngưng dẫn thì transistor phía dưới nhận 
tín hiệu dương, dẫn điện. Dịng điện từ nguồn VCC qua nửa dưới của biến thế xuất âm, CE 
của transistor dưới và qua RE để về nguồn âm. Dịng điện qua biến thế xuất âm này cũng 
thay đổi theo qui luật của tín hiệu vào nên cảm ứng qua cuộn thứ cấp để ra loa. 
Vậy trong một chu kỳ, 2 transistor cơng suất thay phiên nhau làm việc và nghỉ nên bớt 
nĩng, hiệu suất cao. Trên tải cĩ dịng điện mạnh thay đổi theo qui luật của tín hiệu vào. 
Ưu điểm của mạch khuếch đại push-pull là khuếch đại được tín hiệu rất mạnh, trên sơ 
cấp của cuộn biến thế xuất âm khơng cĩ dịng điện một chiều chạy qua nên nâng cao được 
hiệu suất của mạch khuếch đại. 
Nhược điểm chính của mạch này là 2 transistor cơng suất phải hồn tồn giống nhau, nếu 
khơng tín hiệu khuếch đại sẽ bị méo. 
Trong mạch khuếch đại cĩ biến thế làm giảm hệ số khuếch đại ở tần số thấp. Người ta 
cĩ thể dùng các mạch khuếch đại cơng suất theo kiểu OTL (Output transformerless) để bớt một 
biến thế xuất âm (H. 1). Hoặc cĩ thể dùng 2 transistor cơng suất bù (một transistor NPN và một 
transistor PNP) để bỏ đi cả 2 biến thế (H. 2). 
 Hình 1 Hình 2 
V- MẠCH HỒI TIẾP. 
Hồi tiếp (Feedback) là lấy một phần năng lượng đầu ra của mộ mạch khuếch đại đưa 
ngược về ngã vào của nĩ. Cĩ thể hồi tiếp trong một tầng hay nhiều tầng của mạch khuếch đại. 
Phần năng lượng từ ngõ ra đưa lại ngõ vào cĩ thể là điện áp hoặc dịng điện, vì vậy ta cĩ hồi 
tiếp điện áp, hồi tiếp dịng điện. 
Ž 
Lấy một phần điện áp ngõ ra đưa ngược ngõ vào với hệ số hồi tiếpĠ : 
Gọi K’ là hệ số khuếch đại khi chưa cĩ hồi tiếp:Ġ 
 Gọi K là hệ số khuếch đại khi cĩ hồi tiếp: Ġ 
Ta cĩ: U’vào = Uvào +ĠUra 
Suy ra : 1 1
'K K
β= + 
Uvào U’vào Ura 
β
'
1 '
KK
Kβ= − 
R1 
T 
R2 
Tr1 
Tr2 
+VCC +VCCTr1 
Tr2 
• NếuĠ < 0 : K < K’ : điện áp ra đưa ngược về ngõ vào ngược pha, ta cĩ hồi tiếp âm. 
Ưùng dụng làm mở rộng giải thơng trong các mạch khuếch đại, tuy nhiên hệ số khuếch 
đại của mạch bị giảm. 
• NếuĠ > 0 : K > K’ : điện áp ra đưa ngược về ngõ vào đồng pha, ta cĩ hồi tiếp dương. 
Ứng dụng để làm tăng hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại nhưng đồng thời làm 
mạch khuếch đại kém ổn định. 
• NếuĠK’ = 1 : K trở nên lớn vơ cùng. Mạch khuếch đại trở thành mạch dao động. 
Trong thực tế khi dùng hệ thống khuếch âm, nếu để micro và loa đối đầu nhau, tín hiễu ngã 
ra ở loa trở về ngõ vào ở micro cùng pha, hiện tượng hồi tiếp dương xảy ra. Nếu hồi tiếp 
dương quá lớn sẽ dẫn đến dao động tự kích và cĩ tiếng hú lớn ở loa (hiệu ứng Larzen). 
VI- MÁY TĂNG ÂM. 
Máy tăng âm cịn gọi là ampli (amplifier), dùng để khuếch đại âm thanh từ nguồn là một 
micro hay đầu đọc máy ghi âm (cassette)... để phát ra loa. 
Một máy tăng âm gồm một hay nhiều tầng khuếch đại điện áp và một tầng khuếch đại cơng 
suất. Ngồi ra cịn cĩ các mạch hồi tiếp âm, mạch tăng giảm âm sắc (tone), mạch tăng giảm 
âm lượng, tăng giảm tiếng trầm (bass), bổng (treble)... 
Một mạch điện của máy tăng âm đơn giản như sau: 
Mạch điện máy tăng âm 
Tầng đầu tiên là mạch khuếch đại điện áp âm tần gồm 2 transistor ghép trực tiếp để đặc 
tuyến tần số hệ số khuếch đại của mạch được bằng phẳng (hệ số khuếch đại đồng đều trong 
giải tần). 
Tầng kế đến cĩ tải là biến thế đảo pha là một tầng khuếch đại cơng suất nhỏ kết hợp với tải 
làm nhiệm vụ đảo pha, tạo ra 2 tín hiệu cùng biên độ nhưng ngược pha nhau để cấp cho tầng 
khuếch đại cơng suất push-pull. 
Tầng cuối cùng là mạch khuếch đại cơng suất push-pull. 
Ta thấy điện áp nguồn cung cấp cho các tầng khuếch đại đầu được lọc rất kỹ qua các 
mạch lọc RC để tránh hiện tượng hồi tiếp dương giữa các tầng với nhau gây dao động tự kích. 
Micro: biến đổi dao động cơ thành dao động điện, tín hiệu âm thanh được tạo ra rất nhỏ 
được đưa vào khuếch đại ngay tầng đầu tiên. 
AUX IN là ngõ vào của những tín hiệu cĩ biên độ khá lớn nên chỉ cần khuếch đại cơng suất. 
Muốn tăng cơng suất cho máy tăng âm ta cĩ thể mắc nối tiếp thêm một tầng khuếch đại 
cơng suất nữa hoặc thay transistor cơng suất bằng 2 transistor khác được mắc theo kiểu 
Darlington như sau: 
1β
2β
1 2.β β β=≈
 +12V 
Micro 
AUX IN 
 Ta thấy: Ġ và Ġ 
Mà IC1 = IB2, nên Ġ