Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic

Tóm tắt Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic: ..., t) = 0 VC (4.2) CB(0, 0) = 0 BC ; CB(x , 0) = 0 ; CI(x, 0) = 0 IC ; CV(x, 0) = 0 VC (4.3) 4.2. Phƣơng pháp sai phân ngƣợc dòng Sai phân được thực hiện theo các công thức sau: (4.11a) (4.11b) (4.11c) Phương pháp sai phân ngược dòng ổn định vô điều kiện với sai số: ε = 0[...biết phân bố B, I và V tại các thời điểm tiếp theo t2 và t3 ( t3 > t2 > t1). 5.5. Thảo luận Kết quả mô phỏng cho thấy thời gian khuếch tán càng lớn thì các sai hỏng điểm sinh ra càng nhiều và và bị đẩy càng sâu vào phía trong. Tại thời điểm t2 điền kẽ Si đa đi sâu vào qua khoảng 7 lớp ng...nkel J., Talkner P. and Hanggi P. (2007), “Relativistic diffusion processes and random walk models”, Physcal Review D 75, p. 43001-8 18 39. Eistein. A (1956), “Investigation on the Theory of the Brounian movement”, New York: Dover palications, Inc., p. 119. 40. Fahey A.M., Griffin P.B. ...