Thiết bị đo mức cường độ UV của mặt trời dùng sensor nano TiO2 chế tạo bằng phương pháp phun nhiệt phân

Tạp chí Đại học Thủ Dầu Một, số 5 (24) – 2015 
 3 
THIẾT BỊ ĐO MỨC CƢỜNG ĐỘ UV CỦA MẶT TRỜI 
DÙNG SENSOR NANO TiO2 CHẾ TẠO BẰNG PHƢƠNG PHÁP 
PHUN NHIỆT PHÂN 
Trần Kim Cƣơng(1) – Phạm Văn Nho(2) – Nguyễn Quang Tiến(2) 
(1) Trường Đại học Công nghiệp Thực phẩm TP.HCM, (2) Trường Đại học Khoa học 
Tự nhiên (Đại học Quốc gia Hà Nội) 
TÓM TẮT 
Màng nanocomposite (nco) TiO2/SnO2 được chế tạo bằng phương pháp phun đồng 
nhiệt phân dung dịch muối vô cơ TiCl4 và SnCl4 trên đế thuỷ tinh. Thành phần pha của 
màng hình thành được xác định qua XRD, tính chất quang của màng được xác định qua 
phổ quang dẫn. Phương pháp chế tạo có ưu điểm là đơn giản, sử dụng các nguyên liệu rẻ 
tiền. Kết quả cho thấy màng nco TiO2/SnO2 chế tạo theo phương pháp này chỉ nhạy với bức 
xạ tử ngoại (UV), màng được sử dụng làm sensor kết hợp với thiết kế mạch điện tử ráp 
thành thiết bị đo mức cường độ UV của bức xạ mặt trời. Việc kiểm tra độ nhạy và độ tin 
cậy của thiết bị đã được đo đối chứng với máy đo UV của hãng Solarlight Co., INC. 
Philadelphia sản xuất. 
Từ khóa: nhiệt phân, màng nco TiO2, sensor nano TiO2, thiết bị đo UV
1. MỞ ĐẦU 
Với sự phát triển nhanh chóng của 
công nghiệp do ứng dụng các thành tựu của 
khoa học công nghệ hiện đại từ nửa cuối 
thể kỷ 20 đến nay, cùng với việc sử dụng 
nhiên liệu hoá thạch gia tăng, việc thải các 
chất độc hại vào môi trường đã làm bầu khí 
quyển ngày càng bị ô nhiễm nặng. Hậu quả 
nghiêm trọng của sự ô nhiễm không khí là 
dẫn đến nguy cơ tầng ozone ngăn cản bức 
xạ UV của mặt trời đến trái đất bị chọc 
thủng, đe doạ sự sống của con người và các 
sinh vật ở trên trái đất. 
Trong thành phần phổ của bức xạ mặt 
trời đến trái đất có khoảng 4 – 5 % năng 
lượng bức xạ UV. Bức xạ UV trong ánh 
nắng mặt trời có mặt tích cực là tác dụng đối 
với sức khoẻ con người như thúc đẩy quá 
trình quang sinh hoá tổng hợp vitamin D. 
Tuy nhiên, mặt trái của nó là nếu phải hoạt 
động dưới ánh nắng nhiều lại có tác hại đối 
với da, mắt và các hệ thống miễn dịch. 
Bức xạ UV của mặt trời có bước sóng 
từ 100 đến 400 nm được phân chia thành ba 
loại: (1) UV-A có bước sóng trong khoảng 
315 – 400 nm; (2) UV-B có bước sóng 
trong khoảng 280 – 315 nm; (3) UV-C có 
bước sóng trong khoảng 100 – 280 nm. 
UV-A dễ dàng xuyên qua tầng ozone 
tới bề mặt trái đất. Có tới 98 % năng lượng 
bức xạ UV của mặt trời tới mặt đất là UV-
A. Bức xạ UV-B bị tầng ozone hấp thụ 
mạnh, khi đến mặt đất chỉ còn khoảng 2 % 
năng lượng bức xạ UV là của UV-B. UV-C 
hầu hết bị tầng ozone hấp thụ, lượng còn lại 
đến trái đất là không đáng kể. 
Tác hại của bức xạ UV đối với môi 
trường và con người là: UV-A gây ra sự già 
hoá quang (làm già trước tuổi) và sương mù 
quang hoá. UV-B có tác dụng tạo vitamin D, 
Journal of Thu Dau Mot University, No 5 (24) – 2015 
 4 
nhưng đồng thời nó triệt miễn dịch, gây ung 
thư da, rối loạn thị giác và bệnh đục nhân 
mắt, UV-C gây ra sự đột biến, huỷ diệt hệ 
sinh thái, phá huỷ cấu trúc gen. 
Hàng năm ở Mỹ có tới trên nửa triệu 
người bị ung thư da và hàng ngàn người chết 
do nhiễm bức xạ UV của Mặt trời. Trong 
năm 1999 đã có tới 7300 người chết do ung 
thư da [3]. Phơi nắng mặt trời là một trong 
những nhân tố rủi ro chính cho sự phát triển 
của tế bào cơ sở và tế bào hình vảy ung thư 
biểu mô [9]. Mắt có thể bị ảnh hưởng ngay 
lập tức hoặc về lâu dài sau khi hấp thụ tia UV 
trong ánh nắng mặt trời. Ánh nắng có thể gây 
một số loại u mi, việc tiếp xúc với tia UV có 
cường độ mạnh có thể gây bỏng giác mạc, 
gây nên mộng hoặc “hạt vàng” ở kết mạc. 
Tia UV gây đục vỏ thuỷ tinh thể dần dần nếu 
tiếp xúc với ánh nắng kéo dài. Khi phải nhìn 
lâu hoặc trực tiếp vào mặt trời, nhất là vào 
khoảng thời gian giữa trưa, có thể gây tình 
trạng bỏng võng mạc. Bệnh thoái hoá hoàng 
điểm ở người cao tuổi – nguyên nhân gây mù 
loà hay gặp nhất ở các nước phát triển liên 
quan đến quá trình tiếp xúc lâu với ánh nắng 
mặt trời [5]. 
Trong điều kiện bắt buộc phải làm việc 
dưới ánh nắng mặt trời, hoặc các hoạt động 
ngoài trời như giao thông đi lại, thể thao, du 
lịch, vui chơi giải trí cần phải có các biện 
pháp phòng chống ô nhiễm bức xạ UV của 
mặt trời. Một số các nghiên cứu về các biện 
pháp chống tác hại của bức xạ UV như 
Nicole Paillous (Phòng thí nghiệm của 
IMRCP, Pháp) và các cộng sự cho thấy các 
thuốc chống nắng trên cơ sở TiO2/ZnO có tác 
dụng ngăn cản tác hại của UV-B. Tuy nhiên, 
chỉ có thuốc chống nắng khoáng hữu cơ mới 
ngăn cản được tác hại của UV-A [2]. 
Hầu hết các màn che mặt trời được 
thiết kế để ngăn cản tác hại của bức xạ UV-
B. UV-B đẩy mạnh sự già hoá của da và có 
thể gây ra khối u ác tính. Peter Wardman 
(Mount Vernon Hospital, Middlesex, Liên 
hiệp Anh) và cộng sự báo cáo các nghiên 
cứu về hiệu quả của ba màn che mặt trời 
bằng cách đo khả năng của chúng và ngăn 
cản sự hình thành gốc tự do mà UV-A gây 
ra. Cả ba loại màn che mặt trời đều cho sự 
bảo vệ ít đối với UV-A thậm chí chúng đã 
có hệ số bảo vệ đối với bức xạ mặt trời là 
20 hay cao hơn [4]. 
Chất ức chế chọn lọc Cyclooxygenase-
2 (COX-2) là một enzyme sản ra prostag-
landins, chất liên quan tới sự phát triển của 
ung thư biểu mô tế bào hình vẩy và các ung 
thư biểu mô khác, ngăn cản tác hại ô-xi hoá 
cấp tính cho da được phối hợp với bức xạ 
UV-B. Việc xử lý celecoxib liên quan làm 
giảm sự hình thành chứng viêm kinh niên, u 
nhú và ung thư biểu da gây ra bởi UV-B [11]. 
Để phòng chống có hiệu quả, cần thiết 
phải có các dụng cụ đo mức cường độ bức 
xạ UV để cảnh báo mức nguy hiểm. Thông 
thường, các dụng cụ này được chế tạo trên 
cơ sở các sensor bán dẫn kèm theo các bộ 
phận lọc dải quang học, hoặc sử dụng các 
bán dẫn vùng cấm rộng như ZnO, SnO2, 
In2O3 dưới dạng các photo đi-ôt hoặc pho-
totransitor. Điển hình là các nghiên cứu về 
chế tạo sensor UV như photo đi-ôt dị chuyển 
tiếp trên cơ sở vật liệu ZnO loại p pha tạp Sb 
[6], hay sensor phototransitor màng mỏng 
trên cơ sở ZnO bằng phương pháp phún xạ 
magneton RF sputtering trên đế p-Si [1]. Tuy 
nhiên, các dụng cụ đo UV này hoặc có cấu 
trúc phức tạp, hoặc phải dựa trên công nghệ 
cao dẫn đến giá thành cao, nên khó có thể 
trang bị dân dụng rộng rãi. Mặt khác, một số 
dụng cụ này còn hạn chế về đáp ứng phổ như 
độ chọn lọc phổ và độ nhạy UV thấp, hoặc 
thời gian đáp ứng và thời gian hồi phục 
quang dẫn còn dài [8]. 
Tạp chí Đại học Thủ Dầu Một, số 5 (24) – 2015 
 5 
Dựa trên đặc tính đối với màng nco 
TiO2/SnO2 chúng tôi đã chế tạo bằng phương 
pháp phun nhiệt phân chỉ nhạy với bức xạ tử 
ngoại (UV) và đã chế tạo được cảm biến bức 
xạ UV của mặt trời [10], ý tưởng về việc 
nghiên cứu ứng dụng để chế tạo cảm biến 
UV sử dụng lắp ráp thành thiết bị đo cường 
độ UV phục vụ cho nhu cầu thực tiễn đã 
được hình thành và thực hiện. 
2. THỰC NGHIỆM 
2.1 Chế tạo màng nco TiO2/SnO2 
bằng phương pháp đồng nhiệt phân 
Màng TiO2 chế tạo bằng phương pháp 
phun nhiệt phân dung dịch TiCl4 lên đế thuỷ 
tinh trong khoảng nhiệt độ 340 – 460 oC có 
cấu trúc nano xốp (hình 1). Màng được sử 
dụng để phun đồng nhiệt phân dung dịch 
SnCl4 (0,1 M) với tỉ lệ 7 % mol so với lượng 
dung dịch TiCl4 tạo màng ban đầu. 
Hình 1. Ảnh SEM của màng nano TiO2 chế tạo 
ở nhiệt độ 450 oC 
Giản đồ XRD của mẫu (hình 3) cho 
thấy chỉ có các đỉnh nhiễu xạ của TiO2 
anatase và SnO2, không thấy có đỉnh nhiễu 
xạ biểu hiện sự hình thành của pha nào 
khác chứa đồng thời Ti, Sn, O. Điều này 
chứng tỏ trong điều kiện nhiệt phân đã tiến 
hành, các hợp chất TiCl4 và SnCl4 không 
tương tác với nhau. Như vậy hệ vật liệu 
oxyt hình thành từ nhiệt phân các muối là 
một hệ hỗn hợp dạng nanocomposite (nco), 
chứa đồng thời hai loại oxyt và được ký 
hiệu là TiO2/SnO2. 
Hình 2. Ảnh AFM của màng nano TiO2 chế tạo 
ở nhiệt độ 450 oC 
Hình 3. Giản đồ nhiễu xạ tia X của mẫu với tỉ 
lệ 7 % mol SnCl4 chế tạo ở nhiệt độ đế 425 
o
C. 
Hình 4. Phổ nhạy quang của màng 
nanocomposite TiO2/SnO2 chế tạo với tỉ lệ 7 % 
mol SnCl4. 
 Phổ quang dẫn của mẫu với nguồn 
sáng là đèn halogen chiếu qua quang phổ 
kế trên hình 4. Có thể thấy rằng màng hầu 
như chỉ nhạy với ánh sáng tử ngoại, không 
nhạy với ánh sáng trong miền khả kiến. 
Ngưỡng nhạy quang của màng tương ứng 
với ngưỡng hấp thụ của vật liệu TiO2. 
Journal of Thu Dau Mot University, No 5 (24) – 2015 
 6 
2.2 Nguyên lý và mạch đo 
Từ thành công của việc chế tạo được 
cảm biến UV [10], ý tưởng về việc thiết kế 
chế tạo một máy đo hoàn chỉnh nhằm đáp 
ứng nhu cầu thực tiễn đã được phát triển. 
Với phẩm chất cao và đặc tính chỉ nhạy với 
tia UV hệ đo có cấu tạo đơn giản tương tự 
như là một máy đo điện trở hiện số. Sơ đồ 
khối của máy đo được trình bày ở hình 5. 
Hình 5. Sơ đồ khối nguyên lý thiết bị đo bức 
xạ UV. 
Sensor được nuôi bằng nguồn dòng, 
dưới chiếu sáng bức xạ UV điện trở của 
sensor thay đổi làm dòng qua sensor thay 
đổi. Tín hiệu từ đầu ra của sensor được đưa 
vào bộ khuyếch đại hiệu chỉnh, qua mạch 
chuyển đổi ADC rồi đưa ra mạch chỉ thị 
hiện số mức cường độ bức xạ UV. 
Hình 6 trình bày sơ đồ nguyên lý hoạt 
động của mạch điện tử sử dụng sensor UV 
để hiển thị mức cường độ bức xạ UV. 
Cấu tạo của mạch điện tử bao gồm 
sensor UV được gắn vào mạch cầu điện trở. 
Lối vào của cầu được nối với nguồn nuôi 9 
V, lối ra của cầu được đưa qua bộ khuếch 
đại thuật toán để khuếch đại tín hiệu vi sai 
rồi đưa qua bộ hiển thị màn hình tinh thể 
lỏng LCD. 
Hình 6. Sơ đồ mạch điện tử của máy đo cường độ bức xạ UV. 
Hiệu chỉnh điểm 0 (trong tối) được 
thực hiện thông qua biến trở R7. Ở điều 
kiện không có ánh sáng, điều chỉnh biến trở 
R7 để tín hiệu vi sai điện áp bằng không 
cho cầu cân bằng. Khi có tín hiệu là bức xạ 
UV chiếu vào sensor, điện trở của sensor 
thay đổi tỉ lệ nghịch với cường độ bức xạ 
UV tới. Tín hiệu điện áp vi sai của cầu 
được khuếch đại theo chế độ đảo. Kết quả 
là độ lớn của tín hiệu ra khỏi bộ khuếch đại 
tỉ lệ với cường độ bức xạ UV chiếu vào 
sensor. Biến trở R9 tạo ra hồi tiếp âm giúp 
ổn định tín hiệu khuếch đại do những thăng 
giáng nhiễu đồng thời thiết lập hệ số 
khuếch đại phù hợp để bộ chỉ thị hiển thị 
trực tiếp giá trị của cường độ bức xạ. Tín 
hiệu điện áp từ bộ khuếch đại sẽ được đưa 
đến lối vào của bộ hiển thị LCD ICL7106. 
Giá trị hiển thị cực đại của nó là 200 mV. 
Nó có khả năng hiển thị các giá trị từ 0 – 
1999. Bộ đếm hiển thị (count) dựa trên tín 
hiệu là tỉ số điện áp lối vào Vin và điện áp 
sensor 
TiO2 
Khuếch đại 
hiệu chỉnh 
ADC LCD 
POL
20
AB4
19
E3
18
F3
17
B3
16
D3
15
E2
14
F2
13
A2
12
B2
11
C2
10
D2
9
E1
8
G1
7
F1
6
A1
5
IN HI
31
COM
32
Cref-
33
Cref+
34
REF LO
35
REF HI
36
TEST
37
OSC3
38
OSC2
39
C1
3
A3
23
C3
24
G2
25
V-
26
INT
27
BUFF
28
A-Z
29
G3
22
BP
21
4
30
B1
IN LO
R1
C4
R2
R3
R5
OSC1
40
R4
C1
C5
C2
C3
3
2
1
8
4
LM358NR8
R6 R6
R7
S
E
N
S
O
R
 U
V
R9
V+
1
2
D1
-1
9
9
.9
D
IS
P
L
A
Y
+9V
+9V
Tạp chí Đại học Thủ Dầu Một, số 5 (24) – 2015 
 7 
chuẩn của bộ hiển thị VRef : 
in
Re f
V
count 1000
V
  (5.6) 
3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 
3.1 Chuẩn số đo 
Sensor UV cùng các thiết bị kết nối và 
hiển thị được lắp ráp thành máy đo. Máy 
đo được hiệu chỉnh độ khuếch đại cùng 
với số hiển thị của máy đo UV PMA2120 
do hãng Solarlight Co., INC. Philadelphia 
sản xuất. Hình 7 biểu diễn các giá trị thực 
nghiệm của máy đo UV đã sản xuất so với 
số chỉ của máy đo của hãng Solarlight Co., 
INC. Philadelphia dưới bức xạ của mặt 
trời trong ngày nắng trung bình vào tháng 
9 tại Hà nội. 
Đồ thị trên hình 7 cho thấy trong phạm 
vi biến đổi của mức cường độ UV của mặt 
trời trong ngày – khoảng 1 đến 13 W/cm2, 
số hiển thị của máy đo sử dụng vật liệu nco 
TiO2/SnO2 làm sensor hầu như trùng với số 
chỉ của máy đo UV do hãng Solarlight Co., 
INC. Philadelphia sản xuất. Kết quả đo trên 
máy đo mức cường độ UV đã được kiểm 
tra nhiều lần bằng so sánh kết quả đo của 
hai máy đo ở các mức cường độ UV khác 
nhau. Giá trị đo so sánh cũng đã được lặp 
lại sau 60 ngày và kết quả vẫn trùng nhau. 
Hình 7. So sánh hiển thị của máy đo UV dùng 
sensor nco TiO2/SnO2 và số chỉ của máy đo UV 
của hãng Solarlight Co., INC. Philadelphia. 
Hình 8 trình bày ảnh chụp hình dáng 
bên ngoài của máy đo cường độ bức xạ UV 
đã được chế tạo. 
Hình 7. Ảnh chụp hình dáng bên ngoài máy đo 
cường độ bức xạ UV sử dụng sensor từ vật liệu 
nanocomposite TiO2/SnO2. 
3.2 Các thông số kỹ thuật của máy đo 
Kích thước: 1246522 (mm) 
Khối lượng: 112 g 
Nguồn điện: pin 9 V, công suất tiêu 
thụ: 12 mW 
Thang đo: 0  199 (W/cm2), Sai số 
(so với máy đo UV PMA2120, SolarLight 
Co., INC. Philadelphia): ± 0.2 
Độ phân giải: 0,1 (W/cm2) 
Hệ số thay đổi theo nhiệt độ: < 0.5% /oC 
Thời gian đáp ứng: 4-5 s 
Thời gian hồi phục (ở mức 0.7): 20 s 
Thời gian hồi phục quang dẫn (τ) đối 
với màng nano TiO2 thường rất lớn, ví dụ 
các tác giả [7] xác định được τ = 107 s. τ 
phụ thuộc nhiều yếu tố công nghệ chế tạo 
và sự pha tạp. Với công nghệ phun nhiệt 
phân và pha tạp SnO2, màng nco 
TiO2/SnO2 do chúng tôi chế tạo bằng 
phương pháp đồng nhiệt phân có τ đã giảm 
nhiều bậc [10], tuy giá trị τ còn lớn nhưng 
đã có thể ứng dụng cho thực tiễn là chế tạo 
Journal of Thu Dau Mot University, No 5 (24) – 2015 
 8 
thiết bị đo mức cường độ UV của mặt trời. 
Với việc cải tiến công nghệ cho ứng dụng 
này, trong tương lai có thể chúng tôi sẽ làm 
giảm được τ hơn nữa để có thể nâng cao giá 
trị sử dụng của thiết bị. 
4. KẾT LUẬN 
Màng nco TiO2/SnO2 chế tạo bằng 
phương pháp đồng nhiệt phân dung dịch 
muối TiCl4 và SnCl4 có độ nhạy UV cao, 
có thể ứng dụng để chế tạo sensor nhạy UV 
cho các thiết bị đo cường độ bức xạ UV 
của mặt trời. Đây là kết quả lần đầu được 
công bố trên thế giới. Kết quả này vừa là 
minh chứng cho phẩm chất của công nghệ 
chế tạo vật liệu nano TiO2 vừa là một ứng 
dụng cụ thể của vật liệu nano vào thực tiễn 
với khả năng phát triển thành sản phẩm 
thương mại đem lại hiệu quả kỹ thuật và 
kinh tế cho xã hội. 
Với công nghệ chế tạo đơn giản, cấu 
trúc gọn nhẹ nhưng tính năng đầy đủ của 
sensor sử dụng vật liệu nanocomposite 
TiO2/SnO2, có thể sử dụng các vi mạch 
điện tử để chế tạo các máy đo mức cường 
độ UV có thể tích và khối lượng nhỏ đeo 
tay hoặc gắn trên khuy áo, phục vụ cho các 
nhu cầu như trong lĩnh vực thể thao và du 
lịch. 
STUDYING TO MAKE DEVICE MEASURING UV INTENSITY LEVEL OF 
SOLAR RADIATION BASE ON SENSOR NCO TiO2/SnO2 PREPARED BY SPRAY 
PYROLYSIS METHOD 
Pham Van Nho, Nguyen Quang Tien 
Nature Science University (Hanoi National University) 
ABSTRACT 
Nanocomposite (nco) TiO2/SnO2 films were prepared by co-spraying pyrolysis 
solutions of inorganic salt TiCl4 and SnCl4 on glass substrate. Phase composition of the 
formed films were determined by XRD, and photocharacter of the films were determined by 
photoconduction spectrum. Advantage of the prepared method was simple, using 
unexpensive materials. Results showed that the nco TiO2/SnO2 films which prepared by this 
method are sensitive with only ultraviolet radiation (UV), the films were used to make 
sensor which combine with designing electronic circuit to assemble device measuring UV 
intensity level of solar radiation. Sensitivity and reliability test of the device was counter-
measured with the UV machine of Solarlight Co., INC. Philadelphia. 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
[1] Bae H. S, Seongil Im (2004), “Ultraviolet detecting properties of ZnO-based thin film 
transistors”, Thin Solid Film 469 – 470, pp. 75 – 79. 
[2] Gelis C., Girard S., Mavon A., Delverdier M., Paillous N., Vicendo P. (2003), “Assessment of 
the skin photoprotective capacities of an organo-mineral broad-spectrum sunblock on two ex 
vivo skin models”, Photodermatol Photoimmunol Photomed 19, pp. 242 – 253. 
[3] Genicom Co., Ltd. (5F, UV Sensor Technology Total Solution Genicom Co., Ltd.) Application 
of UV sensor, Daehan Bldg., 1018 Dunsan-dong, Seo-gu, Daejeon 302-120, Korea. 
Tạp chí Đại học Thủ Dầu Một, số 5 (24) – 2015 
 9 
[4] Haywood R., Wardman P., Sanders R., Linge C. (2003), “Sunscreens inadequately protect 
against ultraviolet-A-induced free radicals in skin: implications for skin aging and melanoma?”, 
J. Invest Dermatol 121, pp. 862 – 868. 
[5] Hoàng Anh Tuấn (26/05/2006), “Một số tác hại của ánh nắng mặt trời đối với mắt”, Sức khoẻ, 
 Index.aspx... 
[6] Mandalapu L.J., Yang Z., Xiu F.X., Zhao D.T. and Liu J.L. (2006), “Homojunction 
photodiodes based on Sb-doped p-type ZnO for ultraviolet detection”, Applied Physics letters 
88, pp. 092103-1 – 092103-3. 
[7] Nickolay Golego, Studenikin S.A., and Michael Cocivera (1998), “Bandgap DOS Distribution 
From Transient Photoconductivity in Thin-Film Polycrystalline TiO2 Containing Nb”, The 53
rd
Congress of Canadian Association of Physicists, University of Waterloo, Ont., Canada. (Online 
Abstract:  
[8] Pham Van Nho, Hoang Ngoc Thanh, Davoli I.V. (2004), “Characterization of nanocrystalline 
TiO2 films prepared by means of solution spray method”, Proceedings of The ninth Asia Pacific 
Physiscs Conference (9th APPC), Hanoi, Vietnam, pp. 348 – 349. 
[9] Scientific American Editors (1996), “Twelve major cancers”, Scientific American 275 (3), pp. 
126 – 132. 
[10] Trần Kim Cương, “Cảm biến bức xạ UV của mặt trời”, Tạp chí Đại học Thủ Dầu Một, số 
3(10) – 2013, trang 53 – 58. 
[11] Wilgus T.A., Koki A.T., Zweifel B.S., Kusewitt D.F., Rubal P.A., Oberyszyn T.M. (2003), 
“Inhibition of cutaneous ultraviolet light B-mediated inflammation and tumor formation with 
topical celecoxib treatment”, Mol Carcinog 38, pp. 49 – 58.