Bài giảng Điện tử công suất 1 - Chương 1: Linh kiện bán dẫn công suất - Phan Quốc Dũng

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT 1
ĐHQG HCM – ĐHBK TP.HCM - KHOA ĐIỆN –ĐIỆN TỬ
GV : PGS. TS. PHAN QUỐC DŨNG
TP.HCM 2013
Nội dung
ĐHQG HCM – ĐHBK TP.HCM - KHOA ĐIỆN –ĐIỆN TỬ
Chương 1. Linh kiện bán dẫn cơng suất
Chương 2. Bộ chỉnh lưu
Chương 3. Bộ biến đổi áp xoay chiều
Chương 4. Bộ biến đổi áp một chiều
Chương 5. Bộ nghịch lưu
Chương 1. Linh kiện bán dẫn cơng suất
ĐHQG HCM – ĐHBK TP.HCM - KHOA ĐIỆN –ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
1.TRỊ TRUNG BÌNH
Xét điện áp v(t) có chu kỳ T. Trị trung bình của điện áp được
tính bởi công thức :
Ghi chú: Tương tự tính trị trung bình của dòng; I
d
∫ ⋅=
T
d dttvT
V
0
)(1
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
2. TRỊ HIỆU DỤNG
Xét điện áp v(t) có chu kỳ T. Trị hiệu dụng của điện áp được
tính bởi công thức :
Ghi chú: Tương tự tính trị hiệu dụng của dòng; I
∫ ⋅⋅=
T
dttv
T
V
0
2 )(1
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
3. PHÂN TÍCH FOURIER
Định lý Fourier phát biểu rằng một hàm số tuần hoàn v
0
(t) có
thể được biểu diễn bởi công thức sau:
( )∑
∞a
Trong đó :
=
++=
,...2,1
0
0 sincos2
)(
n
nn tnbtnatv ωω
( ) ( )∫∫ ==
pi
ωω
pi
2
0
0
0
00
1)(2 tdtvdttv
T
a
T
Thành phần DC
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
3. PHÂN TÍCH FOURIER
Các hệ số sóng hài :
( ) ( )∫∫ ==
pi
ωωω
pi
ω
2
00 cos
1
cos)(2 ttdntvtdtntv
T
a
T
n
00
( ) ( )∫∫ ⋅=⋅=
pi
ωωω
pi
ω
2
0
0
0
0 sin
1
sin)(2 ttdntvtdtntv
T
b
T
n
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
3. PHÂN TÍCH FOURIER
Nếu n = 1 – hài cơ bản
n≥ 2 – hài bậc cao
Phép phân tích Fourier được sử dụng để đánh giá thành phần 
một chiều và xoay chiều của đại lượng điện áp (dòng) ngõ ra 
bộ biến đổi công suất (thường không có dạng chuẩn một chiều 
hoặc xoay chiều) và thông qua đó có thể đánh giá so sánh chất 
lượng các đại lượng điện này.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
4. Khái niệm về quá trình quá độ và trạng thái xác lập :
Khái niệm thường gặp trong ĐTCS, liên quan đến quá trình 
đóng ngắt của các khoá công suất, còn được gọi là quá trình 
chuyển trạng thái khoá công suất từ đóng sang ngắt hoặc 
ngược lại.
Quá trình quá độ là quá trình xảy ra ngay sau khi đóng (ngắt) 
khoá công suất, diễn ra trong khoảng thời gian ngắn và liên 
quan đến tính chất động của các linh kiện ĐTCS.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
4. Khái niệm về quá trình quá độ và trạng thái xác lập :
Trạng thái xác lập của mạch ĐTCS là trạng thái diễn ra 
trong khoảng thời gian tương đối dài (so với thời gian đóng 
ngắt khoá), khi khoá công suất ở trạng thái đóng hoàn toàn 
hoặc ngắt hoàn toàn.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
5. Sự liên tục và gián đoạn:
Khái niệm liên quan đến tính dẫn điện một chiều của khoá 
công suất (BJT, IGBT, SCR, GTO). Khi dòng đi qua theo 
chiều thuận của khoá vẫn còn lớn hơn 0 ta có dòng liên tục. 
Nếu dòng giảm xuống giá trị nhỏ hơn 0 ⇒ khoá ngắt ⇒ ta có 
hiện tượng dòng gián đoạn.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
6. Các hệ số phẩm chất
Hệ số hài (HF
n
) của sóng hài thứ n : Tỷ lệ trị hiệu dụng sóng 
hài bậc n so với sóng hài cơ bản.
V
1V
HF nn =
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
6. Các hệ số phẩm chất
Hệ số méo dạng toàn phần : tỷ lệ các sóng hài bậc cao so với 
sóng hài cơ bản.
∑
∞
=
=
2
2
1
1
n
nVV
THD
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
7. Định nghĩa
Điện tử công suất (ĐTCS) là công nghệ chuyển đổi năng 
lượng điện từ dạng này sang dạng khác nhờ ứng dụng các linh 
kiện bán dẫn công suất lớn.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
8. Tính chất linh kiện bán dẫn cơng suất
+ Phát triển cùng với công nghệ chế tạo linh kiện bán dẫn 
công suất lớn
+ Là thành phần cơ bản của các bộ biến đổi công suất tĩnh.
+ Làm việc như khoá công suất và thường chỉ làm việc ở chế 
độ đóng ngắt
+ Ưu điểm so với công tắc cơ học
+ Ứng dụng khóa bán dẫn : là cấu phần của các bộ biến đổi 
công suất dùng để điều khiển các tham số ra như áp, dòng, 
công suất, tần số và dạng sóng.
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
9. Phân loại linh kiện bán dẫn công suất

 Theo tính điều khiển

 Theo chiều dòng điện đi qua

 Theo khả năng khóa áp ngược

 Tín hiệu điều khiển
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
10. Tính chất tĩnh và động
• Tính chất tĩnh : Liên quan đến cơng suất tổn hao trên khĩa bán dẫn khi 
khĩa ở trạng thái đĩng hoặc ngắt hồn tồn.
• Tính chất động : liên quan đến thời gian khĩa chuyển trạng thái ton, toff
CHƯƠNG 1 
CÁC KHÁI NiỆM VÀ HỆ THỨC CƠ BẢN 
6. Các hệ số phẩm chất
Hệ số méo dạng toàn phần : tỷ lệ các sóng hài bậc cao so với 
sóng hài cơ bản.
∑
∞
=
=
2
2
1
1
n
nVV
THD
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1. DIODE CÔNG SUẤT
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
• Linh kiện không điều khiển
• Có cấu tạo gồm một lớp chuyển tiếp p-n, 2 điện cực ngoài
• Phương pháp chế tạo : Khuyếch tán nguyên tử tạp chất 
loại p vào một mặt của phiến tinh thể Si loại n
1. DIODE CÔNG SUẤT: ĐẶC ĐIỂM
• Cực Anode nối với lớp p, Cathode nối với lớp n
• Quá trình đóng ngắt : Nếu V
AK
> 0 (điện áp Anode dương 
hơn điện áp Cathode) thì diode dẫn (đóng), ngược lại diode 
ngắt 
1. DIODE CÔNG SUẤT: ĐẶC ĐIỂM
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
+ Khả năng điều khiển 
dòng điện (vài A →
vài kA )
+ Khả năng khóa điện 
áp (vài chục V →
vài kV )
1. DIODE CÔNG SUẤT : ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPÈRE
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1. DIODE CÔNG SUẤT: THỜI GIAN PHỤC HỒI TÍNH NGHỊCH
Thời gian cần thiết để diode phục 
hồi khả năng chịu áp khoá khi quá 
trình dẫn thuận chấm dứt 
– phục hồi nhanh
- phục hồi chậm
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1. DIODE CÔNG SUẤT: THỜI GIAN PHỤC HỒI TÍNH NGHỊCH
Tính tốn trr để đánh giá khả năng 
đĩng ngắt với tần số phù hợp.
(Example 2.1 – PE Handbook)
Bài tập : Xem Tutorial 2.1 p.19, 20 PE Handbook
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1. DIODE CÔNG SUẤT: BẢO VỆ LINH KIỆN
Giá trị dv/dt tra từ thơng số kỹ thuật 
của linh kiện.
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
1. DIODE CÔNG SUẤT: ĐỊNH MỨC LINH KIỆN
Xem ví dụ 2.2 p.18 PE Handbook
Định mức áp : VRRM – giá trị áp ngược tức thời lớn nhất trên diode
Định mức dịng : IAV – giá trị trung bình dịng qua diode
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT
- Linh kiện điều khiển bằng dòng và có ba 
cực ngoài: Collector (C) , Emitter (E) và cổng 
điều khiển Base (B). 
+ Mạch công suất nối giữa 2 cực C và E 
+ Xung điều khiển cấp vào giữa 2 cực B và E
- Transistor vận hành như một khóa đóng cắt 
bán dẫn
- BJT công suất được định mức đến 1200V và 
400A. Chúng thường được sử dụng trong các 
bộ biến đổi vận hành đến 10kHz. 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT :ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPÈRE
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT : ĐẶC TÍNH ĐỘNG
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT : MẠCH BẢO VỆ
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR CÔNG SUẤT : MẠCH KÍCH
VCC
C
Q4R4
R5 R6
TX1
D1
2
D2
1
2
3 CHỨC NĂNG :
-CÁCH LY ĐIỆN
- KHUẾCH ĐẠI
A
E
GND
Q1
Q2
Q3
R1
R2
R3
R7
R8
C2
1
C1 C3
- TẠO DẠNG XUNG ĐIỀU 
KHIỂN TỐI ƯU
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
2. TRANSISTOR DARLINGTON
Điều khiển dịng cơng suất IC bằng dịng 
điều khiển IB trị số thấp.
hFE= IC/IB
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM
Sử dụng trong các bộ nguồn, bộ biến đổi DC-
DC, bộ điều khiển động cơ...
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM
+ Linh kiện điều khiển bằng 
áp. Điện áp gate-source VGS
đủ lớn sẽ đóng MOSFET 
(15V, < =20V).
+ VDS > 0 và VGS > 0 ⇒ ON
VGS≤ 0 ⇒ OFF
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - ĐẶC ĐIỂM
+ MOSFET có cấu trúc diode 
ngược ký sinh .
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT- ĐẶC ĐIỂM
+ Công suất tổn hao nhiệt ở 
trạng thái đóng của MOSFET 
cao hơn BJT. MOSFET điện 
áp thấp sẽ có điện trở lúc dẫn 
RDS(on) nhỏ hơn 0.1Ω, tuy 
nhiên các MOSFET cao áp có 
điện trở dẫn lên đến vài Ω.
+ Định mức MOSFET khoảng 
1000V và 50A.
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - Đặc tuyến Volt- Ampere
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - Đặc tính động
MOSFET đóng cắt nhanh và 
được sử dụng trong các bộ 
biến đổi vận hành với tần số 
đến 100kHz và hơn. 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
3. MOSFET CÔNG SUẤT - Mạch kích 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
- VCE > 0 và VGE > 0 ⇒ ON
VGE≤ 0 ⇒ OFF
-Không có khả năng khóa áp ngược 
giá trị lớn hơn 10V
-Định mức IGBT áp U 500- 1700 V, 
dòng I <= 1 KA
-Tần số đóng ngắt cao hơn so với 
BJT nhưng thấp hơn MOSFET 
-IJBT có thể làm việc với tần số 
đóng cắt lên đến 30kHz (3-30kHz) 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
+ Giống MOSFET , khác ở điện trở 
lúc IGBT đóng RCE ( ON ) nhỏ hơn 
nhiều so với RDS(ON)MOSFET vì cấu 
trúc IGBT có lớp chuyển tiếp pn ⇒
có sự dẫn điện bằng hạt dẫn không 
cơ bản ⇒ dòng I điều khiển được đối 
với IGBT lớn hơn 5, 10 lần so với 
MOSFET
+ Có tín hiệu áp điều khiển VGE⇒
dòng qua lớp pn phân cực thuận từ 
cực C ⇒ E. 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. TRANSISTOR IGBT 
Đặc tính động : thời gian ngắt toff
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. IPM – Intelligent Power Module 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
4. IPM – Intelligent Power Module 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
- dùng cho mạch công suất lớn;
- bốn lớp p, n với 3 cực ngoài Anode (A), Cathode (K) và Gate (G);
- mạch điều khiển được nối giữa cực G & K . Mạch công suất được nối giữa A 
& K ;
- linh kiện điều khiển bằng dòng. Xung dòng IG kích đóng SCR; 
- không kích ngắt, dòng qua SCR đang dẫn if bị ngắt khi giá trị dòng này 
thấp hơn dòng duy trì If < Ih ≈ 0
- định mức SCR : áp vài kV, dòng vài kA
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
Ba trạng thái của SCR:
a. Trạng thái khóa áp ngược ( SCR ngắt )
V
R
G
K
A
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
Ba trạng thái của SCR:
b. Trạng thái khóa áp thuận ( SCR ngắt )
V
R
G
A
K
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
Ba trạng thái của SCR:
c. Trạng thái dẫn ( SCR đĩng )
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
Quá trình đóng ngắt 
a. Hiện tượng đóng mạch xảy ra ( chuyển từ ngắt ⇒ đóng ) khi 
- SCR được đặt ở trạng thái khóa áp thuận
- Xung dòng IG > 0 đưa vào cổng GK
Mạch tương đương của SCR gồm 2 transistor mắc đối Collector và Base với 
nhau, xung IG làm 2 transistor nhanh chóng dẫn bão hòa. Lúc SCR dẫn, 
trạng thái của nó giống diode nên dòng IG không còn cần thiết nữa để duy 
trì trạng thái đóng SCR.
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR
Quá trình đóng ngắt 
b. Hiện tượng ngắt mạch gồm 2 giai đoạn; Chuyển từ đóng ⇒ ngắt
Giai đoạn 1: Giai đoạn làm dòng thuận bị triệt tiêu bằng cách thay đổi điện 
trở hoặc điện áp giữa anode và cathode ( đặt áp ngược )
Giai đoạn 2: khôi phục khả năng khóa của SCR Sau khi dòng thuận bị triệt 
tiêu SCR cần có 1 thời gian ngắt an toàn (tq) để SCR có thể chuyển sang 
trạng thái khóa áp thuận an toàn.
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR – Đặc tính động
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR - ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPERE
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR - ĐẶC TUYẾN VOLT-AMPERE
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR - THỜI GIAN NGẮT AN TỒN tq
tq : sau khi phục hồi lớp điện trở nghịch của J1 và J3 quá trình ngắt vẫn 
chưa chấm dứt, cần có thêm một thời gian nữa để khôi phục khả năng 
khóa áp thuận tức là khôi phục điện trở nghịch của lớp J2 . Thời gian ngắt 
an toàn vì vậy sẽ được định nghĩa : tq- Nó bắt đầu khi dòng thuận trở về 
không cho đến khi xuất hiện điện áp khóa thuận mà SCR vẫn không bị 
đóng trở lại khi chưa có xung dòng điều khiển IG.
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR - MẠCH KÍCH SCR
VCC
R4
Q1 A
A
-
X1
R1
R2
R3
R5
R6
Q2
TX1 D1
D2
K
G
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
5. THYRISTOR - MẠCH BẢO VỆ
dV/dt
dV/dt
di/dt
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. GTO – Gate turn off thyristor
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. GTO – Gate turn off thyristor
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. GTO – Gate turn off thyristor
- Thyritor GTO cũng giống như SCR, được đóng bằng xung dòng cổng Gate 
nếu điện áp anode- cathode dương (biên độ cao hơn SCR thường). 
- GTO có khả năng điều khiển ngắt bằng dòng cổng Gate giá trị âm. 
- Dòng âm ngắt GTO cần phải ngắn (vài µs), nhưng biên độ phải rất lớn so 
với dòng đóng GTO và thông thường dòng kích ngắt GTO khoảng 1/5 – 1/2 
dòng anode ở trạng thái dẫn. 
- Đặc tuyến V-A cho GTO giống của SCR. 
- Định mức GTO : dòng vài kA , áp vài kV: Dùng cho mạch công suất lớn 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. GTO – Gate Turn Off Thyristor
U1R1
R3
R5
R6
Q2A
C1
X1
+ PS1 A
G
+VGG
ON
U2R2
R4
R7 Q5
Q4A
-
PS2
Xung đóng
Xung ngắt
K
Q1
Q3
-VGG
OFF
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. TriAc 
-Linh kiện điều khiển dòng xoay chiều và có 1 cổng điều khiển 
- Định mức: 1kV, 50A
- Kích đóng bằng xung dòng điều khiển giống SCR
- Ngắt tự nhiên bằng áp ngược
G
A1
A2
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. TriAc 
4 vùng làm việc
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
6. TriAc 
Đặc tuyến V-A
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
7. MCT – MOS CONTROLLED THYRISTOR 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
7. MCT – MOS CONTROLLED THYRISTOR 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
8. IGCT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
8. IGCT 
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
8. IGCT : Turn off mode
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
8. IGCT : Turn off mode
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
8. IGCT
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN
CHƯƠNG 1 
CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN